图形转移工艺
尊龙时凯MEMS微纳加工平台提供晶圆清洗、、、、光刻胶旋涂、、前烘、、对准曝光、、、、后烘、、显影在内的光刻图形转移工艺全流程,,,并可对光刻掩膜结构进行形貌观测,,,承接镀膜、、、、刻蚀、、、湿法腐蚀、、、剥离、、、、激光隐切等后道工艺,,可满足MEMS传感器与致动器的产品开发需求。。。。
涂胶、、、显影、、、热烘 | |
基底尺寸:8/6/4英寸 | |
额定转速:50~5000rpm(±1) | 涂胶均匀性:片内<±1%,,,片间<±2% |
最大加速度:20000rpm/s | 显影均匀性:片内<±2%,,,片间<±3% |
热烘温度:50~180°C(±1.5°C) | 热烘均匀性:±0.75°C(50~120°C) |
尊龙时凯配备全自动涂胶显影系统、、、高精度匀胶机、、高精度控温热板等设备及加工能力,,可根据客户需求提供不同型号的正性、、、、负性光刻胶掩膜制备,,,具备自动传送、、、匀胶、、、显影、、、、渐近式烘焙能力,,适用于晶圆级的MEMS器件量产加工。。
图形转移工艺
尊龙时凯MEMS微纳加工平台提供晶圆清洗、、光刻胶旋涂、、、、前烘、、对准曝光、、、后烘、、、显影在内的光刻图形转移工艺全流程,,,并可对光刻掩膜结构进行形貌观测,,,,承接镀膜、、刻蚀、、、、湿法腐蚀、、、剥离、、、激光隐切等后道工艺,,可满足MEMS传感器与致动器的产品开发需求。。
涂胶、、、、显影、、、、热烘 | |
基底尺寸:8/6/4英寸 | |
额定转速:50~5000rpm(±1) | 涂胶均匀性:片内<±1%,,,片间<±2% |
最大加速度:20000rpm/s | 显影均匀性:片内<±2%,,,,片间<±3% |
热烘温度:50~180°C(±1.5°C) | 热烘均匀性:±0.75°C(50~120°C) |
尊龙时凯配备全自动涂胶显影系统、、、、高精度匀胶机、、、高精度控温热板等设备及加工能力,,可根据客户需求提供不同型号的正性、、、、负性光刻胶掩膜制备,,,,具备自动传送、、、匀胶、、、显影、、渐近式烘焙能力,,,,适用于晶圆级的MEMS器件量产加工。。