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紫外光刻

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光刻，，，是MEMS芯片集成化生产的重要工艺之一，，即使用特定紫外光源，，穿透含有图案信息的掩模版后曝光匀涂光刻胶的器件表面并发生反应，，，，形成版图图形转移到器件表面的图案效果；尊龙时凯配备SUSS MA/BA8接近式紫外光刻机，，可支持晶圆级正面对准、、背面对准光刻。。。。
参数基底尺寸：8/6/4英寸
产品参数
基底尺寸：8/6/4英寸
曝光方式：渐进式 软接触、、、、硬接触、、真空接触
涂胶均匀性：片内＜±1%，，，片间＜±2%
对准精度：0.25μm
最小线宽：1μm
曝光均匀性：2.5%
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详细信息

  • 图形转移工艺

    尊龙时凯MEMS微纳加工平台提供晶圆清洗、、光刻胶旋涂、、、前烘、、、、对准曝光、、、、后烘、、、、显影在内的光刻图形转移工艺全流程，，，，并可对光刻掩膜结构进行形貌观测，，，，承接镀膜、、、、刻蚀、、湿法腐蚀、、、剥离、、激光隐切等后道工艺，，可满足MEMS传感器与致动器的产品开发需求。。。。


紫外光刻

基底尺寸：8/6/4英寸


曝光方式：渐进式

软接触、、硬接触、、真空接触

对准精度：0.25μm

最小线宽：1μm

曝光均匀性：2.5%


       光刻，，，，是MEMS芯片集成化生产的重要工艺之一，，即使用特定紫外光源，，，穿透含有图案信息的掩模版后曝光匀涂光刻胶的器件表面并发生反应，，，形成版图图形转移到器件表面的图案效果；尊龙时凯配备SUSS MA/BA8接近式紫外光刻机，，可支持晶圆级正面对准、、背面对准光刻。。。。







紫外光刻
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光刻，，，是MEMS芯片集成化生产的重要工艺之一，，，即使用特定紫外光源，，，，穿透含有图案信息的掩模版后曝光匀涂光刻胶的器件表面并发生反应，，，形成版图图形转移到器件表面的图案效果；尊龙时凯配备SUSS MA/BA8接近式紫外光刻机，，，可支持晶圆级正面对准、、、、背面对准光刻。。。
基底尺寸：8/6/4英寸
曝光方式：渐进式 软接触、、、、硬接触、、真空接触
涂胶均匀性：片内＜±1%，，，片间＜±2%
对准精度：0.25μm
最小线宽：1μm
曝光均匀性：2.5%
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基底尺寸：8/6/4英寸


曝光方式：渐进式

软接触、、、硬接触、、、真空接触

对准精度：0.25μm

最小线宽：1μm

曝光均匀性：2.5%


       光刻，，是MEMS芯片集成化生产的重要工艺之一，，，，即使用特定紫外光源，，，，穿透含有图案信息的掩模版后曝光匀涂光刻胶的器件表面并发生反应，，形成版图图形转移到器件表面的图案效果；尊龙时凯配备SUSS MA/BA8接近式紫外光刻机，，可支持晶圆级正面对准、、、、背面对准光刻。。。







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