浏览器自带分享功能也很好用哦~材料刻蚀工艺
作为重要的半导体器件制备技术，，刻蚀，，即完成图形转移后通过化学或物理作用移除部分材料、、、、形成器件结构的工艺统称，，尊龙时凯MEMS微纳加工平台可提供干法刻蚀、、、、湿法腐蚀及清洗等工艺，，支持MEMS技术方案验证和实验观测。。
气态释放
通过气态氟化氢对氧化硅基底的选择性刻蚀，，实现光学筛孔、、、压力传感器、、微振镜等悬膜、、、悬臂结构释放。。。。
气态释放刻蚀 | 干法深硅刻蚀 | ||
基底尺寸：8英寸以内 | 基底尺寸：8英寸以内 | ||
刻蚀速率：100~1000nm/min | 气体流量：0~500 SCCM(氟化氢) 0~250 SCCM(无水乙醇) 0~2000 SCCM(氮气) | 侧壁垂直度：90°(±0.1°) | 反应温度：-20~+40℃ |
刻蚀均匀性：<±2% | 刻蚀速度：＞10μm/min (Si)，，， ＞2.5μm/min (SOI) | 刻蚀深度：725μm | |
深宽比：30:1 | |||
反应气体：SF6、、、、C4F8、、、Ar、、、O2等 | 刻蚀均匀性：±2% | ||
尊龙时凯采用国际先进的SPTS电感耦合等离子体深硅刻蚀系统，，，，可按照设计方案和定制化掩模对衬底表面或薄膜进行选择性刻蚀，，，，刻蚀速率较高、、、刻蚀效果均匀稳定，，，可以完成高垂直度结构制备、、、晶圆整面减薄及通孔等各类蚀刻加工。。。。
材料刻蚀工艺
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通过气态氟化氢对氧化硅基底的选择性刻蚀，，，实现光学筛孔、、压力传感器、、微振镜等悬膜、、、、悬臂结构释放。。
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基底尺寸：8英寸以内 | 基底尺寸：8英寸以内 | ||
刻蚀速率：100~1000nm/min | 气体流量：0~500 SCCM(氟化氢) 0~250 SCCM(无水乙醇) 0~2000 SCCM(氮气) | 侧壁垂直度：90°(±0.1°) | 反应温度：-20~+40℃ |
刻蚀均匀性：<±2% | 刻蚀速度：＞10μm/min (Si)，，，， ＞2.5μm/min (SOI) | 刻蚀深度：725μm | |
深宽比：30:1 | |||
反应气体：SF6、、、、C4F8、、、、Ar、、、O2等 | 刻蚀均匀性：±2% | ||
尊龙时凯采用国际先进的SPTS电感耦合等离子体深硅刻蚀系统，，，可按照设计方案和定制化掩模对衬底表面或薄膜进行选择性刻蚀，，，刻蚀速率较高、、刻蚀效果均匀稳定，，可以完成高垂直度结构制备、、晶圆整面减薄及通孔等各类蚀刻加工。。。。
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