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晶圆级键合

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键合是一种利用真空、、力、、热以及电压的作用,,,将两个或多个基底(一般为晶圆级)紧密地接合的技术;尊龙时凯配备SUSS XB8晶圆级键合机,,,,提供阳极键合、、、、热压键合、、、、共晶键合、、、、胶键合工艺,,,适用于硅、、、玻璃、、金属、、、、键合胶等材料晶圆级键合,,,以及叠层结构、、绝缘衬底(SOI)结构制备。。。。
参数基底尺寸:8/6/4英寸
产品参数
基底尺寸:8/6/4英寸
最高温度:500℃
键合力:100kN
真空度范围:10-5Mbar~1000Mbar
压力重复性:±2%
我知道了
详细信息
  • 器件封装前道工艺

    尊龙时凯MEMS微纳加工平台提供晶圆级键合、、机械化学抛光(CMP)、、、器件切割(砂轮划切、、、、激光全切、、、激光隐切)等组合工艺,,,基于百级/万级净化间的定制选材与处理方案,,,助力MEMS封装前道工序。。


晶圆级键合

基底尺寸:8/6/4英寸

最高温度:500℃

键合力:100kN

真空度范围:10-5Mbar~1000Mbar

压力重复性:±2%


       键合是一种利用真空、、力、、、、热以及电压的作用,,将两个或多个基底(一般为晶圆级)紧密地接合的技术;键合效果受基底表面吸附状态、、、平整度、、、环境温度和时间的影响,,配备SUSS XB8晶圆级键合机,,,,在表面预处理、、、、器件固定、、、、腔体对准、、预键合、、主键合温度与压力测控、、键合后处理等工序提供完整解决方案。。。。


       基于不同的基底和介质材料,,,,尊龙时凯提供阳极键合、、热压键合、、、共晶键合、、、胶键合工艺,,,适用于硅、、、、玻璃、、、、金属、、、键合胶等材料晶圆级键合,,以及叠层结构、、、、绝缘衬底(SOI)结构制备。。



  • 定制空腔结构晶圆(Cavity SOI)

    以硅晶圆为基础,,制备内腔、、、悬梁结构,,节省背面刻蚀工序,,,,保证表面完整性,,有效解决小孔径背腔释放难题,,,,减小成品批次差异,,适用于压力芯片、、加速度芯片、、、、FP结构等器件制备。。。



晶圆级键合
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晶圆级键合
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键合是一种利用真空、、、力、、、热以及电压的作用,,,将两个或多个基底(一般为晶圆级)紧密地接合的技术;尊龙时凯配备SUSS XB8晶圆级键合机,,提供阳极键合、、热压键合、、、共晶键合、、、胶键合工艺,,,适用于硅、、、、玻璃、、金属、、键合胶等材料晶圆级键合,,,,以及叠层结构、、、绝缘衬底(SOI)结构制备。。。。
基底尺寸:8/6/4英寸
最高温度:500℃
键合力:100kN
真空度范围:10-5Mbar~1000Mbar
压力重复性:±2%
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    尊龙时凯MEMS微纳加工平台提供晶圆级键合、、、机械化学抛光(CMP)、、器件切割(砂轮划切、、、激光全切、、、、激光隐切)等组合工艺,,,基于百级/万级净化间的定制选材与处理方案,,,助力MEMS封装前道工序。。


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基底尺寸:8/6/4英寸

最高温度:500℃

键合力:100kN

真空度范围:10-5Mbar~1000Mbar

压力重复性:±2%


       键合是一种利用真空、、、、力、、热以及电压的作用,,,将两个或多个基底(一般为晶圆级)紧密地接合的技术;键合效果受基底表面吸附状态、、、、平整度、、环境温度和时间的影响,,配备SUSS XB8晶圆级键合机,,在表面预处理、、、器件固定、、腔体对准、、、预键合、、、、主键合温度与压力测控、、、键合后处理等工序提供完整解决方案。。


       基于不同的基底和介质材料,,尊龙时凯提供阳极键合、、、、热压键合、、、、共晶键合、、、胶键合工艺,,适用于硅、、、玻璃、、、、金属、、键合胶等材料晶圆级键合,,以及叠层结构、、绝缘衬底(SOI)结构制备。。



  • 定制空腔结构晶圆(Cavity SOI)

    以硅晶圆为基础,,,制备内腔、、、悬梁结构,,,,节省背面刻蚀工序,,,保证表面完整性,,有效解决小孔径背腔释放难题,,,减小成品批次差异,,,适用于压力芯片、、、、加速度芯片、、、FP结构等器件制备。。。。



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